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该方法通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和MoS2薄膜，科学在2英寸的晶片上制备侧壁晶体管。研究表明，家首它可以被视为迄今为止最小的栅极长度晶体管。
√0.34nm栅极长度的侧壁晶体管显示出良好的开关特性，席专开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117mVdec-1。此外，电投它的本征N掺杂行为、更大的电子有效质量和更低的介电常数导致对短沟道效应的优异抵抗力。
